半導(dǎo)體是常溫下界于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體、微電路和微芯片的生產(chǎn)需要在制造加工領(lǐng)域保持非常精確的條件。

半導(dǎo)體組裝或加工中使用的組件通常具有吸濕性，因此對(duì)高濕度條件高度敏感。

濕度給半導(dǎo)體生產(chǎn)帶來的不良影響：

電路點(diǎn)易被腐蝕

半導(dǎo)體組件的操作故障

光敏樹脂的不適當(dāng)附著力

而半導(dǎo)體帶來的不當(dāng)影響皆是因?yàn)榭諝庵兴痔?，其?shí)半導(dǎo)體合適的存放環(huán)境在20°下，半導(dǎo)體組件制造區(qū)域的相對(duì)濕度應(yīng)保持在30%。

在組裝領(lǐng)域，在半導(dǎo)體和集成電路的生產(chǎn)過程中，過多的水分對(duì)粘合工藝產(chǎn)生不利影響，并增加缺陷。光刻膠化合物被稱為光致抗蝕劑，用于屏蔽電路線用于蝕刻工藝。由于它們的吸濕性質(zhì)，容易吸收水分導(dǎo)致微觀電路線被切割或橋接，導(dǎo)致電路故障。具體表現(xiàn)在以下幾方面：

晶圓制造區(qū)：晶圓制造過程中，晶圓表面噴涂旋轉(zhuǎn)劑，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā)，從而冷卻晶圓表面。這導(dǎo)致水蒸氣從晶片表面上的空氣冷凝。晶片上的額外水使顯影劑的特性發(fā)生變化?？刮g劑還吸收了引起聚合物膨脹的水分。在30%控制相對(duì)濕度消除了晶片表面冷卻低于晶片表面周圍空氣露點(diǎn)的可能性，從而防止失效和損壞。

光刻室：光刻室的相對(duì)濕度條件需要保持在20%～35%之間，過多的水分會(huì)使二氧化硅大量吸收，導(dǎo)致光刻膠的不適當(dāng)粘附，導(dǎo)致應(yīng)力斷裂和表面缺陷。

更快的真空泵下降：如果濕度水平高，由于低溫蒸汽的大量負(fù)載，真空泵等低溫設(shè)備的運(yùn)行速度會(huì)減慢。如果相對(duì)濕度水平可以保持在30%-35%左右，就會(huì)大大降低了批量處理速度。

設(shè)備的保護(hù)：水蒸氣或濕氣凝結(jié)在外延設(shè)備的冷卻表面上，極易腐蝕部件，導(dǎo)致操作失敗并減緩生產(chǎn)速度。

綜上所述，可以看到，半導(dǎo)體的存放條件真的是十分嚴(yán)格的，然而杭井工業(yè)除濕機(jī)可以有效地維持半導(dǎo)體制造區(qū)域所需的最嚴(yán)格的濕度條件。不管環(huán)境條件如何變化，杭井除濕機(jī)都能夠?qū)穸缺３衷诤艿偷暮愣ㄋ?，可謂是半導(dǎo)體生產(chǎn)的良好保障。

選擇杭井除濕機(jī)，半導(dǎo)體順利生產(chǎn)不是問題！